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SEM3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯丝扫描电子显微镜。拥有出色的
成像质量、可兼容低真空模式、在不同的视场范围下均可得到高分辨率图像。
大景深，成像富有立体感。丰富的扩展性，助您在显微成像的世界中尽情探索。
碳材料样品，低电压下，穿透深度较小，可以获取样品表面真实形貌，细节更丰富。
毛发样品，在低电压下，电子束辐照损伤减小，同时消除了荷电效应。
低真空
过滤纤维管材料，导电性差，在高真空下荷电明显，在低真空下，无需镀膜即可实现对不导电样品的直接观察。
生物样品，采用大视场观察，能够轻松获得瓢虫整体形貌及头部结构细节，展现跨尺度分析。
想看哪里点哪里，导航更轻松
标配仓内摄像头，可拍摄高清样品台照片，快速定位样品。
可通过双击移动、鼠标中键拖动、框选放大，进行快捷导航
如框选放大：在低倍导航下，获得样品的大视野情况，可快速框选您感兴趣的样品区域，提高工作效率。
采取多维度的防碰撞方案：
1. 手动输入样品高度，精准控制样品与物镜下端距离，防止发生碰撞；
2. 基于图像识别和动态捕捉技术，运动过程中对仓内的画面进行实时监测；
3. 硬件防碰撞，可在碰撞一瞬间停止电机，减少碰撞损伤。(*SEM3200A需选配此功能）
直观反映整个视野的像散程度，通过鼠标点击清晰处，可快速调节像散至最佳。
一键聚焦，快速成像。
一键消像散，提高工作效率。
一键自动亮度对比度，调出灰度合适图像。
SEM3200软件支持一键切换SE和BSE的混合成像。可同时观察到样品的形貌信息和
成分信息。
拖动一条线，图像立刻“摆正角度”。
扫描电子显微镜不仅局限于表面形貌的观察，更可以进行样品表面的微区成分分析。
SEM3200接口丰富，除支持常规的二次电子探测器（ETD）、背散射电子探测器（BSED）、X射线能谱仪（EDS）外，也预留了诸多接口，如电子背散射衍射（EBSD）、阴极射线（CL）等探测器都可以在SEM3200上进行集成。
背散射电子成像模式下，荷电效应明显减弱，并且可以获得样品表面更多的成分信息。
镀层样品：
钨钢合金样品：
探测器设计精巧，灵敏度高，采用4分割设计，无需倾斜样品，可获得不同方向的阴影像以及成分分布图像。
四个单通道的阴影像
成分像
能谱
LED小灯珠能谱面分析结果。
钨灯丝电镜束流大，完全满足高分辨EBSD的测试需求，能够对金属、陶瓷、矿物等多晶材料进行晶体取向标定以及晶粒度大小等分析。
该图为Ni金属标样的EBSD反极图，能够识别晶粒大小和取向，判断晶界和孪晶，对材料组织结构进行精确判断。
| 型号 | SEM3200A | SEM3200 | ||
|---|---|---|---|---|
| 电子光学系统 | 电子枪类型 | 预对中型发叉式钨灯丝电子枪 | ||
| 分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | ||
| 4 nm @ 30 kV（BSE） | ||||
| 8 nm @ 3 kV（SE） | ||||
| *低真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | |||
| 放大倍率 | 1-300,000x（底片倍率） | |||
| 1-1000,000x（屏幕倍） | ||||
| 加速电压 | 0.2 kV～30 kV | |||
| 成像系统 | 探测器 | 二次电子探测器（ETD） | ||
| *背散射电子探测器、*低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等 | ||||
| 图像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
| 真空系统 | 真空模式 | 高真空 | 优于5×10-4 Pa | |
| *低真空 | 5～1000 Pa | |||
| 控制方式 | 全自动控制 | |||
| 样品室 | 摄像头 | 光学导航 | ||
| 样品仓内监控 | ||||
| 样品台配置 | 三轴自动 | 五轴自动 | ||
| 行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
| Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
| Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
| / | R: 360° | |||
| / | T: -10°～ +90° | |||
| 软件 | 语言 | 中文 | ||
| 操作系统 | Windows | |||
| 导航 | 光学导航、手势快速导航 | |||
| 自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 | |||
| 特色功能 | 智能辅助消像散、*大图拼接（选配软件） | |||
| 安装要求 | 房间 | 长 ≥ 3000 mm，宽 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm | ||
| 温度 | 20 ℃～25 ℃ | |||
| 湿度 | ≤ 50 % | |||
| 电气参数 | 电源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA | |||
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